机译:纳米存储应用中Pb(Zr,Ti)O 3 sub>(PZT)薄膜的沉积温度对压电响应的影响
机译:纳米存储应用中厚约100 nm的Pb(Zr,Ti)O3(PZT)薄膜的沉积温度对压电响应的影响
机译:Pb(Zr_(0.52),Ti_(0.48))O_3(PZT)薄膜的优选取向与压电性能对沉积温度的影响
机译:纳米域开关和非180°域在增强高度(100)取向的Pb(Zr0.60Ti0.40)O3薄膜的局部压电响应中的作用
机译:Pbzr {sub} 0.53Ti {sub} 0.470 {sub} 3(pzt)薄膜在La {sub} 0.5sr {sub} 0.5coo {sub} 3(LSCO)底部电极通过化学溶液沉积制备并在不同的情况下退火温度
机译:用于原子层沉积Pb(ZrxTi1-x)O3薄膜的存储器应用工程纳米级多铁复合材料。
机译:铁电薄膜Pb(Zr0.3Ti0.7)O3的纳米压花技术在多位存储应用中的应用
机译:三元体系Pb 0.98 sub> Ca 0.02 sub> [{(Zr 0.52 sub> Ti 0.48 sub>)”的介电和压电特性研究 0.98 sub>(Cr 3 + sup> 0.5 sub>,Ta 5 + sup> 0.5 sub>) 0.02 sub>} 1–z sub> P z sub>] O 3 sub>掺杂效应